三星批量生产的eUSF 3.0闪存芯片:2.1GB速度,容量高达512GB

这篇文章约588字,需要一分钟阅读。
随着人们越来越需要智能手机,存储芯片制造商和手机制造商已采用多种方法来提高手机的存储性能,以平衡手机的整体性能这是。
Apple使用PC平台的nvme技术大幅提升手机的存储容量和速度。
更常见的方法是使用UFS技术通过芯片完成此操作。
自2015年以来,手机制造商一直在使用UFS。
2
自闪存芯片技术以来,智能手机的存储容量和速度得到了显着提升,最新设备的顺序读写性能分别为900MB / s和300MB / s。
今天,为了进一步提高移动设备的存储性能,三星已正式宣布基于其第五代V-NAND技术大规模生产eUFS3。
0闪存芯片。
新芯片使用最新的eUFS3。
规范0在传输速度下使用eUFS达到了上一代。
2
1标准产品是2倍。
顺序读取速度达到2100MB / s,顺序写入速度达到460MB / s。这也是上一代的1。
58次
与此同时,随机读写也有一定的改进,每个都达到63,000。
IOPS和6,800 IOPS性能改进非常明显,即使您达到某些SSD笔记本电脑的性能水平,数据传输速率也不会成为智能手机的瓶颈。
在容量方面,新的V-NAND技术显着提高了容量。
三星本月发布了128GB和512GB版本。
今年晚些时候,三星计划扩大其生产线,最大产能为1TB。
我先用过eUFS3。
0芯片手机是新发布的三星Galaxy。

作为第一个吃螃蟹的模特,我想在这款手机上有出色的表现。
事实上,高通Snapdragon 855和三星的三星Exynos 9820现在与UFS兼容。
3
技术0,与UFS3一起。
很多0闪存芯片,我认为很快就会采用更多的eUFS3。
0批量生产手机。


上一篇:你能承受多少方形线的力量?
下一篇:没有了

新闻排行

精华导读